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半导体结构的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911395527.8
  • IPC分类号:H01L21/3213;H01L21/28
  • 申请日期:
    2019-12-30
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构的形成方法
申请号CN201911395527.8申请日期2019-12-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-16公开/公告号CN113130318A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/3213
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;1;3;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
北京市大兴区文昌大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人舒强;张迎春;王健;张冬平
代理机构北京市一法律师事务所代理人刘荣娟
摘要
本申请公开了一种半导体结构的形成方法,包括:提供栅极心轴掩模图案和第一栅极掩模图案;消除第一栅极掩模图案中的间隙,使第一栅极掩模图案形成辅助掩模图案;组合栅极心轴掩模图案和辅助掩模图案,以形成目标掩膜图案;提供衬底,衬底上形成有栅极结构材料层;基于目标掩膜图案在栅极结构材料层上形成主心轴结构和伪心轴结构,主心轴结构对应栅极心轴掩模图案,伪心轴结构对应第一栅极掩模图案;在伪心轴结构的侧壁形成伪侧墙,在主心轴结构的侧壁形成主侧墙;以及在形成主侧墙和伪侧墙之后,去除主心轴结构、伪心轴结构和伪侧墙。所述半导体结构的形成方法减小刻蚀负载效应并改善CD均一性。

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