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一种改善ZnO薄膜形貌和电学特性的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110189292.4
  • IPC分类号:H01L31/18;C23C14/08;C23C14/35
  • 申请日期:
    2011-07-07
  • 申请人:
    南开大学
著录项信息
专利名称一种改善ZnO薄膜形貌和电学特性的方法
申请号CN201110189292.4申请日期2011-07-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-11-09公开/公告号CN102237451A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人南开大学申请人地址
天津市南开区卫津路94号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南开大学当前权利人南开大学
发明人张晓丹;赵颖;焦宝臣;魏长春
代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司代理人侯力
摘要
一种改善ZnO薄膜形貌和电学特性的方法,步骤如下:1)以醋酸锌为Zn源、醋酸铟为掺杂铟源、水和无水乙醇的混合液为溶剂,将醋酸锌加入溶剂中制得前驱物混合液并加入冰乙酸,以空气为载气,采用超声喷雾热分解法在玻璃衬底上制备具有三角块形貌的铟掺杂ZnO薄膜;2)以锌铝合金为靶材,采用磁控溅射法在上述铟掺杂ZnO薄膜上制备铝掺杂ZnO薄膜。本发明的优点是:制备的铟掺杂ZnO/铝掺杂ZnO复合薄膜具有圆锥型绒面形貌,消除了棱角和锐利的尖峰,对入射光具有较强的散射作用,同时利用了溅射技术制备的ZnO薄膜具有低电阻率的特点,使ZnO透明薄膜的导电特性得到明显的提高和改善。

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