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高k金属栅极结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210422214.9
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L21/283
  • 申请日期:
    2012-10-30
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称高k金属栅极结构及其制造方法
申请号CN201210422214.9申请日期2012-10-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-05-14公开/公告号CN103794481A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;3查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人李凤莲;倪景华;韩秋华
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人王莉莉
摘要
本发明公开了一种制造高k金属栅极结构的方法,包括:在半导体衬底上依次形成界面层、高k介电层、底部TiN层/TaN层/顶部TiN层、替代栅极层;根据要形成的栅极图案对半导体衬底上的各层进行刻蚀;形成源漏区;依次沉积接触刻蚀停止层和层间介电层;利用替代栅极层作为停止层进行平坦化;利用干法刻蚀工艺去除替代栅极层和部分的顶部TiN层;利用湿法刻蚀工艺去除顶部TiN层的剩余部分;沉积金属以及平坦化形成金属栅极层。

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