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ZnO类半导体元件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200980114001.6
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2009-02-20
  • 申请人:
    罗姆股份有限公司
著录项信息
专利名称ZnO类半导体元件
申请号CN200980114001.6申请日期2009-02-20
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-04-13公开/公告号CN102017197A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人罗姆股份有限公司申请人地址
日本京都府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人罗姆股份有限公司当前权利人罗姆股份有限公司
发明人中原健;田村谦太郎;汤地洋行;赤坂俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人封新琴
摘要
本发明提供一种ZnO类半导体元件,该元件的特征在于,在形成含有包含ZnO类半导体的受主掺杂层的层叠体时,能够在不使受主元素浓度降低的情况下,抑制受主掺杂层或在受主掺杂层之后形成的层的平坦性劣化及晶体缺陷增加,并且能够使膜的特性得以稳定化。其中,在ZnO基板1上依次层叠有n型MgZZn1-ZO(0≤Z<1)层2、非掺杂MgZnO层3、MQW活性层4、非掺杂MgXZn1-XO层5、受主掺杂MgYZn1-YO层6。受主掺杂MgYZn1-YO(0<Y<1)层6中包含至少1种受主元素,并且,在该层上相接触地形成有非掺杂的MgXZn1-XO(0<X<1)层5。由此,可以在向受主掺杂层中充分导入受主元素的同时,使受主掺杂层的表面平坦性得到改善。

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