GIS设备低压导体表面电场强度测量装置及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710177530.7
IPC分类号：G01R31/12;G01R29/12
申请日期：
2017-03-23
申请人：
华北电力大学

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专利名称	GIS设备低压导体表面电场强度测量装置及方法
申请号	CN201710177530.7	申请日期	2017-03-23
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-27	公开/公告号	CN106896302A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/12 测试介电强度或击穿电压	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;1;2;;;G;0;1;R;2;9;/;1;2查看分类表>
申请人	华北电力大学	申请人地址	北京市昌平区朱辛庄北农路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华北电力大学	当前权利人	华北电力大学
发明人	卢斌先;杨颖
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司	代理人	张文宝

摘要

本发明公开了属于导体表面电场测量技术领域的一种GIS设备低压导体表面电场强度测量方法。电场强度测量装置结构为GIS设备外壳通过短支架固定在底座上，高压导体通过底座上的长支架支撑在GIS设备外壳中心，在外壳的中间切割一楔块，并用绝缘材料支撑在原位；楔块连接10千欧的电阻，并电阻接地，电阻两端连接放大电路；放大电路与显示器连接；电场强度测量为在高压导体上加交流220kV的高压电，电阻两端的电压信号通过电缆输入到放大电路，在显示器上显示电场强度的读数。本发明通过对GIS设备内部缺陷的电场计算和分析，并通过试验验证，对于提高GIS内部绝缘强度和研究GIS设备内部缺陷与电场强度的关系，具有重要的意义。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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