一种用于磷化铟单晶生长的装置及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110855053.1
IPC分类号：C30B29/40;C30B13/32;C30B13/02
申请日期：
2021-07-26
申请人：
中锗科技有限公司

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专利名称	一种用于磷化铟单晶生长的装置及方法
申请号	CN202110855053.1	申请日期	2021-07-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-19	公开/公告号	CN113512760A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/40 AⅢBv化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;0;;;C;3;0;B;1;3;/;3;2;;;C;3;0;B;1;3;/;0;2查看分类表>
申请人	中锗科技有限公司	申请人地址	江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中锗科技有限公司	当前权利人	中锗科技有限公司
发明人	罗福敏;柯尊斌;王卿伟
代理机构	南京中律知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李建芳

摘要

本发明公开了一种用于磷化铟单晶生长的装置及方法，用于磷化铟单晶生长的装置，包括筒体、承接座、加热器、坩埚托和石英管；筒体侧壁的顶部和底部分别开设有上、下气孔；筒体内侧设有两根竖直、且相对设置的导轨；筒体的顶部和底部分别使用上、下法兰面密封；承接座设在筒体内的下法兰上；加热器为四区的圆柱形电阻加热器；加热器的两侧分别通过连接件滑动连接在两根导轨上；承接座上设有电机，电机驱动加热器沿导轨上下移动；坩埚托安装在承接座上、且从加热器底部伸入加热器内侧，加热器可相对坩埚托上下移动；石英管位于加热器内侧的坩埚托上，石英管的顶部用石英帽密封。本发明降低了单晶的生长温度，显著提高了单晶质量和成晶率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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