半导体存储装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201010231412.8
IPC分类号：G11C16/02
申请日期：
2010-07-16
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储装置
申请号	CN201010231412.8	申请日期	2010-07-16
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-02-02	公开/公告号	CN101964208A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;2查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	柴田昇;金箱和范
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	陈海红;刘瑞东

摘要

本发明提供不会增大存储比多值区域少的位的区域的存储容量，可高速写入并可延长制品的寿命的半导体存储装置。本半导体存储装置包括在1个单元存储n位(n是2以上的自然数)的数据的多个存储单元。多个存储单元内，在第1区域MLB的存储器MLC存储h(h≤n)位的数据，在第2区域SLB的存储器SLC存储i(i＜h)位的数据，在第2区域SLB的存储单元的改写次数达到规定值时，不在第2区域SLB的存储单元进行写入，在第1区域MLB的存储器存储i位的数据。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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