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半导体发光元件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510108523.9
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2005-09-29
  • 申请人:
    三垦电气株式会社
著录项信息
专利名称半导体发光元件及其制造方法
申请号CN200510108523.9申请日期2005-09-29
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2006-05-10公开/公告号CN1770489
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人三垦电气株式会社申请人地址
日本新座市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三垦电气株式会社当前权利人三垦电气株式会社
发明人青柳秀和;加藤隆志;松尾哲二
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人杨凯;叶恺东
摘要
本发明的半导体发光元件包括具有导电性的支持衬底(1)和具有发光功能的半导体区(3)和光反射层(2)。半导体区(3)包括n型半导体层(6)、活性层(7)、p型半导体层(8)和p型辅助半导体层(9)。光反射层(2)由Ag或Ag合金构成,且配置在半导体区(3)和支持衬底(1)之间。该光反射层(2)通过接合在半导体区(3)的一方主面形成的由Ag或Ag合金构成的第一粘贴层和在支持衬底(1)的一方主面形成的由Ag或Ag合金构成的第二粘贴层来形成。光反射层(2)的侧面(22)和半导体区(3)的侧面(23)的任一方或两方被用以抑制迁移的保护层(6)覆盖。

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