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发射电磁辐射的半导体器件和器件壳体

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200580036291.9
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2005-10-25
  • 申请人:
    奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
著录项信息
专利名称发射电磁辐射的半导体器件和器件壳体
申请号CN200580036291.9申请日期2005-10-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-10-03公开/公告号CN101048879
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司申请人地址
德国雷根斯堡 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司当前权利人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人迈克·伯尔纳;弗兰克·默尔梅尔
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人王萍;李春晖
摘要
公开了一种光电器件,它包括器件壳体(2)和具有支承衬底(11)和发射辐射的层序列(12)的本体(1)。本体(1)被设置在器件壳体(2)的反射槽(5)中,并且与器件壳体(2)的外部的电连接导体(41,42)导电连接。在此,反射槽(5)包括:具有内表面(53)的反射区(51),其横截面从发射辐射的本体(1)来看这样地向器件壳体(2)的正面扩大,使得层序列的、射在内表面(53)上的辐射被有目的地向器件的一个希望的光轴(3)偏转,以及在底部设置在反射区(51)之前的衬底凹穴(52),在衬底凹穴中设置有发出辐射的本体(1),其中,衬底凹穴(52)的深度被这样选择,使得支承衬底(11)相对于反射区(51)至少部分地下沉,并且衬底凹穴(52)的长度和宽度这样适配本体(1)的长度和宽度,使得在本体(1)的边缘和衬底凹穴(52)的边缘之间仅仅存在微小的空隙。在一种优选的实施形式中,器件壳体(2)此外还具有透镜(7),该透镜产生辐射锥的所希望的张角。此外还描述了该器件的应用。

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