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金属氧化物金属电容器制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510375658.5
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2015-06-30
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称金属氧化物金属电容器制作方法
申请号CN201510375658.5申请日期2015-06-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-11-18公开/公告号CN105070642A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人桑宁波;李润领;关天鹏
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人智云
摘要
一种金属氧化物金属电容器制作方法,包括:形成第一层低K介质层;对第一层低K介质层进行光刻刻蚀工艺以便在第一层低K介质层中形成第一电容区沟槽;在第一电容区沟槽中填充金属铜以形成第一层金属铜;在第一层低K介质层上沉积第一刻蚀阻挡层和第二层低K介质层;对第二层低K介质层进行光刻刻蚀工艺以便在第二层低K介质层中形成用于MIM电容区域的第二电容区沟槽;在电容区沟槽中填充高K材料;在第二层低K介质层上沉积第二刻蚀阻挡层和第三层低K介质层;在对第三层低K介质层进行第三光刻刻蚀工艺以便在第三层低K介质层中形成用于MIM电容区域的第三电容区沟槽;在第三电容区沟槽中填充金属铜以形成第二层金属铜。

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