定量测试光折变材料的光致光散射曝光能量密度阈值的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010108450.4
IPC分类号：G01N21/47
申请日期：
2010-02-10
申请人：
哈尔滨工业大学

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著录项信息

专利名称	定量测试光折变材料的光致光散射曝光能量密度阈值的方法
申请号	CN201010108450.4	申请日期	2010-02-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-07-28	公开/公告号	CN101788474A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/47 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/17 入射光根据所测试的材料性质而改变的系统（其中所测试的材料因受到光学激发而引起入射光波长改变的入G01N 21/63）〔3〕 G01N21/47 散射，即漫反射（G01N 21/25，G01N 21/41优先）〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;4;7查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	骆素华;姜向前;时红艳;孟庆鑫;孙秀冬
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	张宏威

摘要

定量测试光折变材料的光致光散射曝光能量密度阈值的方法，涉及光折变材料的参数测试领域，解决了尚无可行方案对光折变材料的光致光散射曝光能量密度阈值进行定量测试的问题。该方法的过程为：偏振入射光经衰减后垂直入射至光折变晶体表面，入射光偏振方向平行于光折变晶体c轴，利用功率计接收透射光；保持入射光光功率密度不变，每隔固定时间记录功率计接收的光功率，然后获得透射光光功率密度随时间的变化曲线，进而获得散射光光功率密度随时间的变化曲线及散射比的平方根随时间的变化曲线；利用对散射比的平方根随时间的变化曲线进行拟合，获得散射时间常数τ，再根据公式S＝τ×Iin计算并获得所述曝光能量密度阈值。本发明可用于光信息体全息存储领域。

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