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反转的MTJ堆叠件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310687504.0
  • IPC分类号:H01L43/08;H01L27/22
  • 申请日期:
    2013-12-13
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称反转的MTJ堆叠件
申请号CN201310687504.0申请日期2013-12-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-18公开/公告号CN104425706A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L43/08IPC分类号H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;2;7;/;2;2查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人黄韦翰;宋福庭;徐晨祐;刘世昌;蔡嘉雄
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;孙征
摘要
本发明提供了一种集成电路器件,包括:衬底和磁性隧道结(MTJ)。MTJ至少包括钉扎层、阻挡层和自由层。在衬底的表面上方形成MTJ。在钉扎层、阻挡层和自由层中,自由层最先形成并且最接近表面。这使得在蚀刻自由层之前能够在自由层的周边区的上方形成间隔件。通过间隔件,由蚀刻或其他自由层边缘限定工艺导致的对自由层的任何损害远离磁性隧道结。本发明还提供了一种制造集成电路器件的方法。

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