超导磁场屏蔽室及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02131225.7
IPC分类号：H05K9/00;C25D3/00
申请日期：
2002-09-17
申请人：
中国科学院物理研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	超导磁场屏蔽室及制备方法
申请号	CN02131225.7	申请日期	2002-09-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-03-24	公开/公告号	CN1484484
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05K9/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05K 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造（其他类目不包括的仪器零部件或其他设备的类似零部件入G12B；薄膜或厚膜电路入H01L 27/01，H01L 27/13；用于对印刷电路或印刷电路之间的电连接的非印刷方法入H01R；用于特殊类型设备的外壳或其结构零部件，见有关小类；仅包括单一工艺的加工方法，例如已列入其他类目的加热、喷射，见有关的类） H05K9/00 设备或元件对电场或磁场的屏蔽（用于吸收-天线辐射的设备入H01Q17/00）〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;5;K;9;/;0;0;;;C;2;5;D;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	张芹;许加迪;周岳亮;朱亚彬;王淑芳;陈正豪;吕惠宾;杨国桢
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	王凤华

摘要

本发明涉及超导磁场屏蔽室及制备方法，该屏蔽室包括：一空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管和顶盖；其特征在于：在所述的空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管内壁有一均匀致密的MgB2膜，在该管端口盖有用MgB2制作的顶盖。本发明采用两步法制备MgB2超导屏蔽室，即：首先在金属管内表面电泳一层二硼化镁薄膜，然后在镁蒸气中烧结。该法制备的屏蔽室质地均匀、致密，电、磁屏蔽性能强，而且工艺简单，生长迅速，原材料及设备成本低廉，容易生长大的MgB2超导屏蔽室，适于工业化生产。

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