基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源

发明专利有效专利

申请号：
CN201610035258.4
IPC分类号：H01S1/00
申请日期：
2016-01-19
申请人：
中国科学技术大学

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著录项信息

专利名称	基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源
申请号	CN201610035258.4	申请日期	2016-01-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-29	公开/公告号	CN105720460A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S1/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S1/00 微波激射器，即利用受激发射对波长比红外射线长的电磁波进行产生、放大、调制、解调或变频的器件	IPC分类号	H;0;1;S;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学技术大学	申请人地址	安徽省合肥市包河区金寨路96号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学技术大学	当前权利人	中国科学技术大学
发明人	何志刚;陆亚林;李伟伟;贾启卡;王琳
代理机构	北京凯特来知识产权代理有限公司	代理人	郑立明;赵镇勇

摘要

本发明公开了一种基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源，包括电子枪、辐射体和螺线管磁铁；电子枪与真空管道相连接，辐射体置于真空管道内部，螺线管磁铁包裹在所述真空管道外。辐射体存在由基模到高阶模式的不同的模式，不同的模式对应不同的辐射频率，通过选取辐射体的参数及电子能量，使得辐射体的高阶模式的频率为基模频率的整数倍，即为基模频率的谐波。采用了谐波增强的方法：即使得高阶模式的频率为基模频率的整数倍。可利用参数要求很低的电子束以及大尺寸的波导来产生高功率、高频率的THz辐射源。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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