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半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910137521.4
  • IPC分类号:H01L21/18;H01L23/48
  • 申请日期:
    2019-02-25
  • 申请人:
    株式会社东芝
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN201910137521.4申请日期2019-02-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-03-13公开/公告号CN110880452A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/18IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人株式会社东芝申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社东芝当前权利人株式会社东芝
发明人津村一道;东和幸
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人吴倩
摘要
实施方式涉及半导体装置。提供具有基板间的良好的界面特性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1基板、第2基板、导电性的第1界面层、绝缘性的第2界面层。第1基板具备包含第1金属元素的第1金属层、包含第1元素及氧的第1绝缘层。第2基板具备包含第2金属元素的第2金属层、包含第2元素及氧的第2绝缘层。第1界面层被设置于第1金属层与第2金属层的界面上,且包含第1金属元素及第2金属元素中的至少一者和第3金属元素。第2界面层被设置于第1绝缘层与第2绝缘层的界面上,且包含第1元素及第2元素中的至少一者、第3金属元素和氧。

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