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一种SnS2/1T-MoS2QDS复合光催化剂、制备方法及应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910357572.8
  • IPC分类号:B01J27/051;B01J37/10;B01J37/34;C02F1/30;C02F101/22
  • 申请日期:
    2019-04-29
  • 申请人:
    陕西科技大学
著录项信息
专利名称一种SnS2/1T-MoS2QDS复合光催化剂、制备方法及应用
申请号CN201910357572.8申请日期2019-04-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-07-12公开/公告号CN109999841A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J27/051IPC分类号B;0;1;J;2;7;/;0;5;1;;;B;0;1;J;3;7;/;1;0;;;B;0;1;J;3;7;/;3;4;;;C;0;2;F;1;/;3;0;;;C;0;2;F;1;0;1;/;2;2查看分类表>
申请人陕西科技大学申请人地址
陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人陕西科技大学当前权利人陕西科技大学
发明人强涛涛;夏亚娟
代理机构西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)代理人俞晓明
摘要
本发明公开了一种SnS2/1T‑MoS2QDS复合光催化剂,包括含有S空位缺陷的SnS2纳米片以及负载在SnS2纳米片上的1T‑MoS2QDS,1T‑MoS2QDS与SnS2纳米片形成异质结,且1T‑MoS2QDS在复合光催化剂中的重量占比为1‑3%。本发明的催化剂有效地控制了所产生的S空位缺陷的数量,产生的S空位能有效地调节SnS2的能带结构,1T‑MoS2QDS与SnS2纳米片形成异质结,通过水热反应巩固了两者的界面。本发明的催化剂能促进光生电子‑空穴对的分离,降低光生电子‑空穴对的复合速率,展现出更高的催化活性,具备广泛的应用前景。

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