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一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610139758.9
  • IPC分类号:G02F1/136;G02F1/1335;G02F1/1333;G03F7/20;H01L21/00
  • 申请日期:
    2006-09-22
  • 申请人:
    北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
著录项信息
专利名称一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件及其制造方法
申请号CN200610139758.9申请日期2006-09-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2008-03-26公开/公告号CN101149541
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/136IPC分类号G;0;2;F;1;/;1;3;6;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;5;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;3;;;G;0;3;F;7;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请人地址
北京经济技术开发区西环中路8号;北京经济技术开发区西环中路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司当前权利人北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
发明人龙春平
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司代理人刘芳
摘要
本发明公开了一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件,其中包括:下基板;栅线及栅电极;薄膜晶体管,形成栅电极上;数据线及与其相连接的源电极和对应的漏电极,形成在薄膜晶体管之上;钝化保护膜,形成薄膜晶体管沟道之上,且在漏电极对应部分开有过孔;黑矩阵,形成在钝化保护膜之上,且在前述过孔位置对应处开有过孔,黑矩阵开口处对应于像素区域;彩色滤光层,形成在黑矩阵的开口处;一像素电极,形成在的彩色滤光层之上,并通过过孔与漏电极接触;上基板;公共电极,形成在上基板上;一液晶分子层,形成在上基板和下基板之间。本发明同时公开了该显示器件的制造方法。本发明提高了液晶显示器件的光透过率和开口率,简化了工艺方法。

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