一种基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN201810290195.6
IPC分类号：G01N21/65;B01L3/00
申请日期：
2018-04-03
申请人：
重庆邮电大学

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专利名称	一种基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片
申请号	CN201810290195.6	申请日期	2018-04-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-23	公开/公告号	CN108693160A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/65 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/63 光学激发的〔3〕 G01N21/65 喇曼散射〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;6;5;;;B;0;1;L;3;/;0;0查看分类表>
申请人	重庆邮电大学	申请人地址	重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆邮电大学	当前权利人	重庆邮电大学
发明人	赖春红;吴聪;夏大杨;何婷;叶林欣;王春瑞
代理机构	北京同恒源知识产权代理有限公司	代理人	赵荣之

摘要

本发明涉及一种基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片，耦合光栅(1)、介质波导、表面等离子波导、微流体结构和硅基底(2)；介质波导由波导上包层(3)、波导下包层(4)和波导芯层(5)组成；波导上包层(3)设置在波导芯层(5)的上表面，耦合光栅(1)分布在波导芯层(5)的上表面，且耦合光栅(1)未与波导上包层(3)接触；硅基底(2)、波导下包层(4)和波导芯层(5)的外表面齐平，波导上包层(3)、表面等离子波导芯层(9)和微流体通道(8)的外表面齐平。本发明的基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片，结构简单、尺寸很小，可在单一芯片上制作阵列式结构，提高检测灵敏度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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