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基于H2化学过程中的高剂量植入剥离(HDIS)

发明专利有效专利

申请号：
CN200810187894.4
IPC分类号：G03F7/42;H01L21/311
申请日期：
2008-12-22
申请人：
诺发系统有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基于H2化学过程中的高剂量植入剥离(HDIS)
申请号	CN200810187894.4	申请日期	2008-12-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-09	公开/公告号	CN101727024A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/42 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/26 感光材料的处理及其设备（G03F 7/12至G03F 7/24优先）〔3，5〕 G03F7/42 剥离或剥离剂〔5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;4;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人	诺发系统有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	诺发系统有限公司	当前权利人	诺发系统有限公司
发明人	春弘·哈里·后藤;大卫·张
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王允方

摘要

使用元素氢、弱氧化剂及含氟气体产生等离子体。在等离子体源下游及在喷淋头上游将惰性气体引入到所述等离子体，所述喷淋头可将气体混合物引导到反应室中，在所述反应室中所述混合物与高剂量植入抗蚀剂反应。所述工艺以高剥离速率移除所述硬壳层与体抗蚀剂层，且以低硅损失使工件表面大致没有残余物。

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