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抗等离子体腐蚀的反应室部件、其制造方法以及包含该部件的等离子体反应室

发明专利有效专利

申请号：
CN200810037164.6
IPC分类号：H01L21/00;C23C16/44;H01J37/32
申请日期：
2008-05-09
申请人：
中微半导体设备（上海）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	抗等离子体腐蚀的反应室部件、其制造方法以及包含该部件的等离子体反应室
申请号	CN200810037164.6	申请日期	2008-05-09
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-11-11	公开/公告号	CN101577211
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）有限公司,中微半导体设备（上海）股份有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）有限公司,中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人	吴万俊;倪国强
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	王洁

摘要

一种用于等离子体反应室的抗等离子体腐蚀的反应室部件，由氧化钇材料和少量掺杂元素制成，其具有小于10欧姆-厘米的电阻率，可以被用作反应室的射频通道。在本发明的另一实施例中，所述反应室部件至少包括连接在一起的第一导电基体及第二导电基体，所述第二导电基体由氧化钇材料和少量掺杂元素经过烧结或热压制成，并具有低于10欧姆-厘米的电阻率。

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