用于执行湿法蚀刻工艺的系统和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201480013838.2
IPC分类号：C03C25/68;C23F1/00
申请日期：
2014-02-14
申请人：
维易科精密表面处理有限责任公司

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著录项信息

专利名称	用于执行湿法蚀刻工艺的系统和方法
申请号	CN201480013838.2	申请日期	2014-02-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-30	公开/公告号	CN105209402A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C03C25/68 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C03 玻璃；矿棉或渣棉 C03C 玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合 C03C25/00 由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理 C03C25/66 化学处理，例如沥滤、酸处理或碱处理（脱羟基作用入C03C 25/64）〔7〕 C03C25/68 蚀刻法〔7〕	IPC分类号	C;0;3;C;2;5;/;6;8;;;C;2;3;F;1;/;0;0查看分类表>
申请人	维易科精密表面处理有限责任公司	申请人地址	美国纽约州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	维易科仪器公司	当前权利人	维易科仪器公司
发明人	L·莫尔;E·劳伦斯;J·塔代伊;R·优素福
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	冯剑明

摘要

公开了一种用于执行湿法蚀刻工艺的系统和方法。所述系统包括通过传送设备可访问的多个处理站，包括光学测量衬底厚度的测量站，实时计算所述衬底的蚀刻配方并且使单晶片湿法蚀刻站根据所述配方蚀刻所述衬底的控制器。此外，所述系统可以测量蚀刻后的厚度以及实时计算作为先前衬底的最终测量值的函数的蚀刻配方。所述系统还可以包括当蚀刻TSV衬底时用于检测所述TSV显露点的原位终点检测设备。所述系统提供了一种自动方案以根据与先前蚀刻的晶片相关的反馈实时地调整蚀刻配方参数，并且使用终点检测精确地控制所述TSV显露高度和蚀刻时长。

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