β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200880111063.7
IPC分类号：C09K11/64;C09K11/08;H01J1/63;H01L33/00
申请日期：
2008-10-06
申请人：
宇部兴产株式会社

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著录项信息

专利名称	β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末及其制造方法
申请号	CN200880111063.7	申请日期	2008-10-06
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-09-01	公开/公告号	CN101821356A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K11/64 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K11/00 发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料〔2〕 C09K11/08 含无机发光材料〔2〕 C09K11/64 含铝〔4〕	IPC分类号	C;0;9;K;1;1;/;6;4;;;C;0;9;K;1;1;/;0;8;;;H;0;1;J;1;/;6;3;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	宇部兴产株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电化株式会社	当前权利人	电化株式会社
发明人	酒井拓马;坂田信一
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	李帆

摘要

本发明提供一种可用于荧光显示管(VFD)、场致发射显示器(FED)、等离子体显示屏(PDP)、阴极射线管(CRT)、发光二极管(LED)等的更高亮度的β-硅铝氧氮陶瓷荧光体。通过把粒径2μm以上、纵横比的平均值为1.3以下的α型氮化硅粒子、含AlN的成为铝源的物质、与金属Ln的氧化物或通过热解能形成氧化物的前体物质以成为通式Si6-zAlzOzN8-z：Lnx(式中，0＜z＜4.2，Ln为Eu)的方式进行混合，在0.05MPa以上100MPa以下的氮气氛中、于1700～2100℃进行焙烧，可得到纵横比的平均值为小于1.5的新型高亮度β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末。

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