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半导体发光二极管及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310124281.3
IPC分类号：--
申请日期：
2003-12-29
申请人：
三星电子株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体发光二极管及其制造方法
申请号	CN200310124281.3	申请日期	2003-12-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-10-27	公开/公告号	CN1540774
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	赵济熙;金显秀
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	李晓舒;魏晓刚

摘要

本发明公开一种半导体发光二极管及其制造方法。该半导体发光二极管包括：衬底，其上顺序堆叠有n型半导体层、有源层和p型半导体层；以及，p型电极，其包括形成在p型半导体层上的第一金属层、以及形成在第一金属层上并反射自有源层产生的光的第二金属层。

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