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一种光波导与光电芯片的新型耦合结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201320865929.1
  • IPC分类号:G02B6/42
  • 申请日期:
    2013-12-25
  • 申请人:
    深圳市中兴新地通信器材有限公司
著录项信息
专利名称一种光波导与光电芯片的新型耦合结构
申请号CN201320865929.1申请日期2013-12-25
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/42IPC分类号G;0;2;B;6;/;4;2查看分类表>
申请人深圳市中兴新地通信器材有限公司申请人地址
广东省深圳市龙岗区坂田街道办岗头新地路1号中兴新地工业园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市中兴新地技术股份有限公司当前权利人深圳市中兴新地技术股份有限公司
发明人高阳;孔祥君;焦俊涛;付勇;杨栋
代理机构深圳市硕法知识产权代理事务所(普通合伙)代理人李姝
摘要
本实用新型公开了一种光波导与光电芯片的新型耦合结构,包括光波导芯片和光电芯片,所述光波导芯片的端面抛光成45°角的端面,所述光波导芯片与所述光电芯片之间还设有光波可以穿透的透明基板。本实用新型能够直接实现光电芯片的紧凑气密封装,提高封装密度,同时能够对光波导芯片进行有效保护,缓冲光波导芯片与上层电路以及光电芯片间的应力。

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