气密性射频MEMS器件的制作方法及气密性射频MEMS器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202110036541.X
IPC分类号：B81C1/00;B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02
申请日期：
2021-01-12
申请人：
清华大学

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著录项信息

专利名称	气密性射频MEMS器件的制作方法及气密性射频MEMS器件
申请号	CN202110036541.X	申请日期	2021-01-12
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-05-11	公开/公告号	CN112777563A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;C;3;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	刘泽文;张玉龙
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李岩

摘要

本发明公开了一种气密性射频MEMS器件的制作方法及气密性射频MEMS器件，其中，该方法包括如下步骤：在衬底圆片上加工出TGV填实通孔结构；沉积生长出第一SiO2介质层，加工出传输线路及第一焊盘；沉积生长出第二SiO2介质层，加工出层间互联通孔结构；沉积生长出第三SiO2介质层，加工出下拉电极和第二焊盘；沉积生长出第四SiO2介质层，加工出接触凸点；沉积牺牲层，加工出键合环、锚点和上极板；释放牺牲层；制作封装盖板；进行圆片级金属键合；进行晶圆级植锡球并进行划片，从而得到最终的所述气密性射频MEMS器件。该方法制作出的气密性射频MEMS器件结构可靠，气密性好，射频性能好，寄生效应低，生产效率高，生产成本低，适于批量生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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