一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极

发明专利有效专利

申请号：
CN201910078164.9
IPC分类号：C25B1/04;C25B11/052;C25B11/075;C30B28/14;C30B29/40;C30B29/62;B82Y40/00
申请日期：
2019-01-28
申请人：
北京工业大学

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专利名称	一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极
申请号	CN201910078164.9	申请日期	2019-01-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-31	公开/公告号	CN109825843A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25B1/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25B 生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺；其所用的设备（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2〕 C25B1/00 无机化合物或非金属的电解生产〔2〕 C25B1/02 氢或氧的〔2〕 C25B1/04 电解水法〔2〕	IPC分类号	C;2;5;B;1;/;0;4;;;C;2;5;B;1;1;/;0;5;2;;;C;2;5;B;1;1;/;0;7;5;;;C;3;0;B;2;8;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0;;;C;3;0;B;2;9;/;6;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	王如志;冯晓宇;梁琦;杨孟骐;张铭;王波;严辉
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极，属于电催化制氢领域。本发明利用化学气相沉积方法，制备的多晶GaN纳米线/基底材料的结构可以直接作为为电催化制氢电极，无需任何催化剂负载或表面修饰即可用于电催化制氢，并表现出优异的电催化制氢性能。多晶GaN纳米线直径为90‑200nm，长度为4‑30μm，表面形貌粗糙，表现为金字塔岛状结构，同时具有丰富的缺陷与垂直于纳米线轴向的突起结构能够在电解水的催化过程中提供大量的活性位点，有利于电解液的扩散和气体的产生与脱附。本发明首次提出利用多晶GaN纳米线作为电催化析氢材料，这为探索新型电催化材料提供了崭新思路，也为研发已实现大规模生产的商用材料的新型性能开辟了新的道路。

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