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微米级芯片封装结构

发明专利有效专利

申请号：
CN200410064806.3
IPC分类号：H01L23/48
申请日期：
2004-09-30
申请人：
江阴长电先进封装有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	微米级芯片封装结构
申请号	CN200410064806.3	申请日期	2004-09-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-04-27	公开/公告号	CN1610106
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人	江阴长电先进封装有限公司	申请人地址	江苏省江阴市滨江中路275号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江阴长电先进封装有限公司	当前权利人	江阴长电先进封装有限公司
发明人	王新潮;赖志明
代理机构	江阴市同盛专利事务所	代理人	唐纫兰

摘要

本发明涉及为一种微米级芯片封装结构。它是在芯片本体(1)一表面设有一焊垫(2)，焊垫(2)外周边及外周边以外的芯片本体(1)表面设置保护层(3)，其特点是焊垫(2)表面及其外周边的保护层(3)上依次叠加钛层(4)、铜层(5)和铜柱(6)，铜柱(6)顶端植置锡球(7)。本发明的封装结构能提高植球接合处结合力及创建一个足够的物质空间以防锡球偏离焊垫。

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