一种三组分智能聚合物修饰的多孔膜材料及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202010154268.6
IPC分类号：C08J9/42;C08F220/54;C08F230/02;C08F220/30;C04B41/63;C04B41/83;C04B41/48;G01N27/333;G01N27/48;C08L67/02;C08L69/00;C08L33/12
申请日期：
2020-03-07
申请人：
武汉理工大学

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专利名称	一种三组分智能聚合物修饰的多孔膜材料及其制备方法和应用
申请号	CN202010154268.6	申请日期	2020-03-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-14	公开/公告号	CN111410768A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08J9/42 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08J 加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理（塑料的加工，如成型入B29）〔2〕 C08J9/00 高分子物质加工成多孔或蜂窝状制品或材料：它们的后处理（生产多孔或蜂窝状制品用的塑料或塑性态物质成型的机械方面入B29C）〔2〕 C08J9/36 后处理（C08J 9/22优先）〔2，5〕 C08J9/40 浸渍〔2〕 C08J9/42 用高分子化合物〔2〕	IPC分类号	C;0;8;J;9;/;4;2;;;C;0;8;F;2;2;0;/;5;4;;;C;0;8;F;2;3;0;/;0;2;;;C;0;8;F;2;2;0;/;3;0;;;C;0;4;B;4;1;/;6;3;;;C;0;4;B;4;1;/;8;3;;;C;0;4;B;4;1;/;4;8;;;G;0;1;N;2;7;/;3;3;3;;;G;0;1;N;2;7;/;4;8;;;C;0;8;L;6;7;/;0;2;;;C;0;8;L;6;9;/;0;0;;;C;0;8;L;3;3;/;1;2查看分类表>
申请人	武汉理工大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞狮路122号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉理工大学	当前权利人	武汉理工大学
发明人	常柏松;李国栋;卿光焱
代理机构	武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	江慧

摘要

本发明公开了一种三组分智能聚合物修饰的多孔膜材料，所述三组分智能聚合物修饰的多孔膜材料以多孔膜为载体，将三组分智能聚合物修饰在所述多孔膜孔道内，所述三组分智能聚合物中x为0.01～0.4，y为0.01～0.4，z≥0.4，且x、y和z的总和为1。本发明通过对三组分智能聚合物结构的设计，使其对钙离子具有响应性，将其修饰到多孔膜的孔道内，钙离子通过多孔膜的纳米通道时，与孔道内表面修饰的三组分智能聚合物结合，导致孔道有效直径、表面电荷密度以及分布的变化，通过对修饰后的多孔膜材料跨膜电流的变化，实现了对钙离子的响应性；本发明还提供了该三组分智能聚合物修饰的多孔膜材料的制备方法和应用。

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