一种基于单神经元PID的移相全桥电路及其控制方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110258954.2
IPC分类号：H02M3/335;H02M3/24;H02M1/32;H02M1/08;H02M1/088
申请日期：
2021-03-10
申请人：
哈尔滨理工大学

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著录项信息

专利名称	一种基于单神经元PID的移相全桥电路及其控制方法
申请号	CN202110258954.2	申请日期	2021-03-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-22	公开/公告号	CN113014106A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M3/335 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M3/00 直流功率输入变换为直流功率输出 H02M3/22 带有中间变换为交流的 H02M3/24 用静态变换器的 H02M3/28 应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件产生中间交流电的 H02M3/325 应用需要连续使用控制信号的三极管或晶体管式的器件的〔2〕 H02M3/335 仅用半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;2;M;3;/;3;3;5;;;H;0;2;M;3;/;2;4;;;H;0;2;M;1;/;3;2;;;H;0;2;M;1;/;0;8;;;H;0;2;M;1;/;0;8;8查看分类表>
申请人	哈尔滨理工大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨理工大学	当前权利人	哈尔滨理工大学
发明人	袁呈祥;周凯
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提出一种基于单神经元PID的移相全桥电路及其控制方法。基于传统的移相全桥零电压开关电路副边整流侧输出存在较大电压尖峰的问题。本发明通过在全桥电路副边整流侧引入由MOS管与电容组合构成的有源钳位电路，有效的抑制了输出电压尖峰。同时本发明将神经网络控制与PID控制相结合，提出了单神经元PID的控制方法，既保留了神经网络控制强鲁棒性的特点又结合了PID控制器设计方便、易实现的优势，针对电路参数的波动具有较强的鲁棒性，适用于非线性网络的分析。通过采用这两种技术，在负载产生突变时，系统可以较快速的恢复稳定，有效的减小了输出电压的超调量与波动性，加快了电路的响应速率，抑制了外部干扰，提高了电路的稳定性。

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