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一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610060631.1
  • IPC分类号:C04B35/84;C04B35/83;C04B35/565;C04B35/58
  • 申请日期:
    2016-01-28
  • 申请人:
    陕西科技大学
著录项信息
专利名称一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法
申请号CN201610060631.1申请日期2016-01-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-06-15公开/公告号CN105669232A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/84IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;8;4;;;C;0;4;B;3;5;/;8;3;;;C;0;4;B;3;5;/;5;6;5;;;C;0;4;B;3;5;/;5;8查看分类表>
申请人陕西科技大学申请人地址
陕西省西安市未央区大学园1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人陕西科技大学当前权利人陕西科技大学
发明人曹丽云;白喆;黄剑锋;欧阳海波;李翠艳;孔新刚;费杰;卢靖;王程;李嘉胤;介燕妮
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人安彦彦
摘要
一种SiC改性C/C‑MoSi2复合材料的制备方法,将二硅化钼、SiC粉体分散于去离子水中,得到混合物,将混合物搅拌均匀后得到悬浮液;将悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中,并加入无水乙醇后,于160~220℃进行水热反应8~12h,水热反应结束后取出C/C试样并重复至MoSi2及SiC粉体渗透进入C/C试样内部;并采用等温化学气相渗透致密化,2500℃石墨化后得到SiC改性C/C‑MoSi2复合材料。本发明制备的SiC改性C/C‑MoSi2复合材料密度适中,结构致密,界面结合良好,抗烧蚀性能良好。本发明原料容易获得,制备工艺简单,操作简便,成本低,环境友好无污染。

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