一种高性能晶体硅太阳能电池背场浆料的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410100299.8
IPC分类号：H01B13/00;H01B1/22;H01L31/0224
申请日期：
2014-03-18
申请人：
山西盛驰科技有限公司

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专利名称	一种高性能晶体硅太阳能电池背场浆料的制备方法
申请号	CN201410100299.8	申请日期	2014-03-18
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-28	公开/公告号	CN103824653A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B13/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B13/00 制造导体或电缆制造的专用设备或方法	IPC分类号	H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;H;0;1;B;1;/;2;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人	山西盛驰科技有限公司	申请人地址	山西省太原市桃园南路27号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院山西煤炭化学研究所	当前权利人	中国科学院山西煤炭化学研究所
发明人	任永华;张伟;贾进莉;赵亮富
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明一种高性能晶体硅太阳能电池背场浆料的制备方法，属于太阳能电池背场浆料的技术领域；提供一种高性能晶体硅太阳能电池背场铝浆的制备方法，该铝浆不含铅，过网性能好，烧结后硅片翘曲小，铝膜不起铝珠、铝包，致密性及导电性好，铝膜与电池片附着力高，电池片转换效率高，同时铝膜稳定性好；按照以下步骤进行：制备有机载体，制备混配铝粉，制备金属氧化物，选取铝硅合金粉，最后完成铝浆的制备；本发明主要应用在太阳能电池背场的浆料方面。

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