磁场辅助化学气相沉积法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610114717.4
IPC分类号：B82B3/00;C23C16/448
申请日期：
2006-11-22
申请人：
中国科学院化学研究所

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著录项信息

专利名称	磁场辅助化学气相沉积法
申请号	CN200610114717.4	申请日期	2006-11-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-06-04	公开/公告号	CN101190779
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B82B3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B82 纳米技术〔7〕 B82B 通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理〔7〕 B82B3/00 通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子集合的纳米结构的制造或处理〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;2;B;3;/;0;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;8查看分类表>
申请人	中国科学院化学研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北一街2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院化学研究所	当前权利人	中国科学院化学研究所
发明人	刘云圻;魏大程;曹灵超;付磊;李祥龙;王钰;于贵
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明一种磁场辅助化学气相沉积法，涉及纳米材料的制备技术，用以制备分支型及填充型纳米材料；其是在公知的化学气相沉积过程中，通过引入外加磁场的方法使催化剂粒子合并或分裂，来制备分支型或填充型的纳米材料。本发明方法制备的分支型或填充性纳米材料形貌均一，结构缺陷少，性能优越，为发展纳米电子器件、纳米电路和增强复合材料，以及为将纳米材料应用于高密度磁存储器、磁性墨水、磁共振成像等打下了坚实的基础。

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