一种基于时域参数的局部放电特高频传感器性能评价方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510039766.5
IPC分类号：G01R35/00
申请日期：
2015-01-27
申请人：
上海交通大学

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著录项信息

专利名称	一种基于时域参数的局部放电特高频传感器性能评价方法
申请号	CN201510039766.5	申请日期	2015-01-27
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-29	公开/公告号	CN104569894A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R35/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R35/00 包含在本小类其他组中的仪器的测试或校准〔2〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人	上海交通大学	申请人地址	上海市闵行区东川路555号乙楼3070室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海迈内能源科技有限公司	当前权利人	上海迈内能源科技有限公司
发明人	陈孝信;钱勇;许永鹏;舒博;张一鸣;盛戈皞;江秀臣
代理机构	上海恒慧知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	张宁展

摘要

本发明公开一种基于时域参数的局部放电特高频传感器性能评价方法，通过时域参数表征特高频传感器的性能，在GTEM小室脉冲测量系统测量数据的基础上，经由Hilbert变换获取时域解析脉冲响应函数，并提取出包络峰值、包络宽度和振荡时间三种时域参数。利用Guillaume‑Nahman技术克服频域反卷积求取时域参数过程中的病态问题，避免系统脉冲响应淹没于高频毛刺之中。与现有评价体系相比本发明能够更准确地描述UHF传感器在接收脉冲信号时的行为特征，为局部放电UHF检测信号时域波形的有效对比和分析提供了技术支撑。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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