一种离子阱装置及其控制方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910329278.6
IPC分类号：H01J49/42
申请日期：
2019-04-23
申请人：
华为技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种离子阱装置及其控制方法
申请号	CN201910329278.6	申请日期	2019-04-23
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-27	公开/公告号	CN111834196A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J49/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J49/00 粒子分光仪或粒子分离管〔3〕 H01J49/26 质谱仪或质量分离管〔3〕 H01J49/34 动态分光仪〔3〕 H01J49/42 轨迹稳定型分光仪，如单极的、四极的、多极的、线振质谱仪型的〔3〕	IPC分类号	H;0;1;J;4;9;/;4;2查看分类表>
申请人	华为技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华为技术有限公司	当前权利人	华为技术有限公司
发明人	沈杨超;苏长征
代理机构	深圳市深佳知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王仲凯;骆苏华

摘要

本申请实施例公开了一种离子阱装置及其控制方法，用于量子计算或量子操控等，可以快速补充离子，降低离子补给耗时，降低离子或者量子比特丢失对量子操控和测量操作的影响。离子阱装置，包括：离子生成与捕获区，离子存储区和离子操控测量区，其中离子存储区位于离子生成与捕获区和离子操控测量区之间；离子生成与捕获区用于：生成离子并将生成后的离子捕获；离子存储区用于：对在离子生成与捕获区捕获的离子进行存储，以及向离子操控测量区补充新的离子；离子操控测量区用于：对囚禁在离子操控测量区的离子进行量子操控和测量操作。

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