BiCMOS工艺中的寄生PIN器件及制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110259144.5
IPC分类号：--
申请日期：
2011-09-02
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	BiCMOS工艺中的寄生PIN器件及制造方法
申请号	CN201110259144.5	申请日期	2011-09-02
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-04-11	公开/公告号	CN102412308A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	胡君;刘冬华;段文婷;石晶;钱文生
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生PIN器件，形成于硅衬底上，有源区通过浅沟槽隔离，包括：一N型区，由形成于浅沟槽隔离氧化层底部并和有源区相隔一段距离的一N型赝埋层组成；一I型区，是由形成于有源区中N型的集电极注入区形成，和N型区在浅沟槽隔离氧化层底部相接触；一P型区，由形成于有源区表面上的掺有P型杂质的本征基区外延层组成，和I型区相接触。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的寄生PIN器件的制造方法。本发明制造方法利用BiCMOS工艺中现有工艺条件就能实现，无需额外增加工艺条件；本发明器件具有较低插入损耗和较高隔离度且隔离度方便改善调节，无需额外的工艺条件就可以实现为电路提供多一种器件选择。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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