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Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN01809479.1
  • IPC分类号:H01L21/205;C30B29/38;H01L33/00;H01S5/323
  • 申请日期:
    2001-02-23
  • 申请人:
    丰田合成株式会社
著录项信息
专利名称Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法
申请号CN01809479.1申请日期2001-02-23
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2003-07-09公开/公告号CN1429402
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/205IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;3;2;3查看分类表>
申请人丰田合成株式会社申请人地址
日本爱知县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人丰田合成株式会社当前权利人丰田合成株式会社
发明人手钱雄太
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人李晓舒;魏晓刚
摘要
蓝宝石衬底(1)蚀刻成10μm宽、10μm间隔、且10μm深的条带图案。厚度大约为40nm的AlN缓冲层(2)主要形成在衬底(1)上台阶的顶面和底面上。GaN层(3)通过垂直和水平外延生长形成。从而,台阶由台阶顶面上水平外延生长的缓冲层(21)覆盖,因此,该表面变得平坦。在GaN层(3)的在台阶底部之上的部分中的线位错与其在台阶顶部之上的部分相比被明显抑制。

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