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纳米晶嵌入单晶外延碳化硅的高稳定低损耗微波二极管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510025277.4
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L29/04;H01L21/329
  • 申请日期:
    2015-01-19
  • 申请人:
    温州大学
著录项信息
专利名称纳米晶嵌入单晶外延碳化硅的高稳定低损耗微波二极管
申请号CN201510025277.4申请日期2015-01-19
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-06-10公开/公告号CN104701385A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人温州大学申请人地址
浙江省宁波市宁波高新区菁华路188号801室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宁波高新区甬港现代供应链有限公司当前权利人宁波高新区甬港现代供应链有限公司
发明人韦文生
代理机构温州瓯越专利代理有限公司代理人陈加利
摘要
本发明公开了纳米晶嵌入单晶外延碳化硅的高稳定性低损耗微波二极管及工艺。结构为(P+)4H-nc-SiC/[(P-)4H-nc-SiC/(N-)6H-c-SiC]/(N-)6H-c-SiC/[(P+)4H-nc-SiC/(N+)6H-c-SiC],包括(P+)4H-nc-SiC/(N+)6H-c-SiC复合阴极、(N-)6H-c-SiC基区、(P-)4H-nc-SiC/(N-)6H-c-SiC复合过渡层、(P+)4H-nc-SiC阳极。采用磁控溅射、RIE和PECVD技术研制。P/N交界局域耗尽,器件内结电容降低,适用于微波频段,温度稳定性和耐电压能力提高,反向过程时间缩短,损耗减小。

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