加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710198916.2
  • IPC分类号:H01L27/12;H01L21/84
  • 申请日期:
    2007-12-07
  • 申请人:
    株式会社东芝
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN200710198916.2申请日期2007-12-07
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2008-06-18公开/公告号CN101202288
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/12IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人株式会社东芝申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人铠侠股份有限公司当前权利人铠侠股份有限公司
发明人入泽寿史;高木信一;杉山直治
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人郭放
摘要
半导体器件包括绝缘层(2),以及被形成于绝缘层(2)上的,具有n沟道的n沟道MIS晶体管和具有p沟道的pMIS晶体管,其中n沟道MIS晶体管的n沟道是由具有沟道长度方向上单轴拉伸应变的Si层(10)形成,p沟道MIS晶体管的p沟道是由具有沟道长度方向上单轴压缩应变的SiGe或Ge层(20)形成,并且n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管中每一个的沟道长度方向都为<110>方向。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供