一种LDMOS的等效电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201110421649.7
IPC分类号：H03K17/687
申请日期：
2011-12-15
申请人：
上海新进半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	一种LDMOS的等效电路
申请号	CN201110421649.7	申请日期	2011-12-15
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-06-13	公开/公告号	CN102497185A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K17/687 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K17/00 电子开关或选通，即不通过通断接触的（选通放大器入H03F 3/72；使用静态器件的交换系统的开关装置入H04Q 3/52） H03K17/51 按使用特殊元件区分的（H03K 17/04至H03K 17/30，H03K 17/94优先）〔3〕 H03K17/56 应用半导体器件作为有源元件的（应用二极管的入H03K 17/74）〔3〕 H03K17/687 应用场效应晶体管的〔3〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;7;/;6;8;7查看分类表>
申请人	上海新进半导体制造有限公司	申请人地址	上海市闵行区紫星路1600号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新进芯微电子有限公司	当前权利人	上海新进芯微电子有限公司
发明人	姜艳;胡林辉
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	逯长明;王宝筠

摘要

本发明公开了一种LDMOS等效电路，包括：可变电容的第一端连接场效应管的栅极，可变电容的第二端连接场效应管的漏极；场效应管的栅极与可变电容第一端的连接点作为LDMOS等效电路的栅极，场效应管的漏极与可变电容第二端的连接点连接LDMOS等效电路的漏极，场效应管的源极作为LDMOS等效电路的源极。该LDMOS等效电路能够在仿真中作为LDMOS的等效电路，提高包含LDMOS的电路的仿真精度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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