具有支撑结构的MEMS装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200680026806.1
IPC分类号：B81B3/00;G02B26/00
申请日期：
2006-07-20
申请人：
高通股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有支撑结构的MEMS装置及其制造方法
申请号	CN200680026806.1	申请日期	2006-07-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-23	公开/公告号	CN101228093
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B3/00 由柔性或可变形的元件组成的装置，例如由弹性舌或膜片组成（B81B 5/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;B;3;/;0;0;;;G;0;2;B;2;6;/;0;0查看分类表>
申请人	高通股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	追踪有限公司	当前权利人	追踪有限公司
发明人	克拉伦斯·徐;钟元宿;苏里亚·普拉卡什·甘蒂;马尼什·科塔里;马克·W·迈尔斯;杰弗里·B·桑普塞尔;笹川照夫
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	刘国伟

摘要

MEMS装置的实施例包括导电可移动层，所述导电可移动层通过间隙与导电固定层间隔开，且由上覆在所述导电可移动层中凹陷上的刚性支撑结构或铆钉支撑，或由下伏在所述导电可移动层中凹陷下的柱支撑。在某些实施例中，所述铆钉结构的若干部分延伸穿过所述可移动层并接触下伏的层。在其它实施例中，用于形成所述刚性支撑结构的材料也可用于钝化与所述MEMS装置电连接的原本暴露的电引线，从而保护所述电引线不受损坏或其它干扰。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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