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耐候性良好的硫化物荧光体及制备耐候性良好的荧光体的化学沉积法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110713398.3
  • IPC分类号:C09K11/59;C09K11/64;C09K11/02;C09K11/56;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40
  • 申请日期:
    2021-06-25
  • 申请人:
    佛山安亿纳米材料有限公司
著录项信息
专利名称耐候性良好的硫化物荧光体及制备耐候性良好的荧光体的化学沉积法
申请号CN202110713398.3申请日期2021-06-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-17公开/公告号CN113403064A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09K11/59IPC分类号C;0;9;K;1;1;/;5;9;;;C;0;9;K;1;1;/;6;4;;;C;0;9;K;1;1;/;0;2;;;C;0;9;K;1;1;/;5;6;;;C;2;3;C;1;6;/;3;0;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0查看分类表>
申请人佛山安亿纳米材料有限公司申请人地址
广东省佛山市三水工业园区大塘园清盈路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人佛山安亿纳米材料有限公司当前权利人佛山安亿纳米材料有限公司
发明人陈焰;胡广齐;叶炜浩;梁敏婷
代理机构广州市诺丰知识产权代理事务所(普通合伙)代理人黄国亮;任毅
摘要
本发明提供一种耐候性良好的硫化物荧光体:包括基底和沉积在基底的表面的分子沉积膜,基底为碱土硫化物发光材料,分子沉积膜中包括通式为AxBy的化合物,其中B选自O元素、N元素中的至少一种。基于分子沉积膜具有规律排布的薄膜特性,本发明通过在碱土硫化物发光材料的表面沉积分子沉积膜,能够在碱土硫化物发光材料的表面形成致密的保护膜,由此能够对碱土硫化物发光材料起到有力而长效的保护,使碱土硫化物发光材料长期维持其应有的发光性能,延长应用碱土硫化物发光材料的产品的使用寿命。

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