半导体激光耦合匀化装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201320173371.0
IPC分类号：H01S5/06
申请日期：
2013-04-09
申请人：
中国电子科技集团公司第十一研究所

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著录项信息

专利名称	半导体激光耦合匀化装置
申请号	CN201320173371.0	申请日期	2013-04-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/06 控制激光器输出参数的装置，例如控制激活介质〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;6查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第十一研究所	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路4号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第十一研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第十一研究所
发明人	毛小洁;秘国江;邹跃;庞庆生
代理机构	工业和信息化部电子专利中心	代理人	秦莹

摘要

本实用新型公开了一种半导体激光耦合匀化装置。该方法包括：半导体激光器、与半导体激光器相匹配的聚焦透镜组、以及与聚焦透镜组相匹配的匀化棒；半导体激光器，用于发射半导体激光；聚焦透镜组，用于对半导体激光器发射的半导体激光进行耦合；匀化棒，用于对进行耦合后的半导体激光进行匀化，得到均匀的半导体激光并输出。本实用新型实施例的半导体激光耦合匀化装置具有结构简单、高耦合效率、高功率、高峰值功率、以及高光束质量的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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