用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810124958.X
IPC分类号：C03C8/02
申请日期：
2018-02-07
申请人：
盐城工业职业技术学院

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专利名称	用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法
申请号	CN201810124958.X	申请日期	2018-02-07
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-06-29	公开/公告号	CN108218233A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C03C8/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C03 玻璃；矿棉或渣棉 C03C 玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合 C03C8/00 搪瓷；釉（陶瓷用冷釉入C04B 41/86）；含有非熔块添加剂的玻璃料熔封成分〔4〕 C03C8/02 熔块的组成，即粉状或粒状的〔4〕	IPC分类号	C;0;3;C;8;/;0;2查看分类表>
申请人	盐城工业职业技术学院	申请人地址	江苏省盐城市城南新区解放南路285号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盐城工业职业技术学院	当前权利人	盐城工业职业技术学院
发明人	王明艳
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	徐彦圣

摘要

本发明涉及材料领域，具体而言，涉及一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法。该釉料以重量份计包括SiO2 20‑35份；MgO 12‑23份；BaCO3 2‑4份；Al2O3 5‑10份；Sb2O3 10‑12份；K2O 12‑18份；Na2O 13‑17份；SnO 20‑30份；MnO 3.5‑5.5份；CuO 2.5‑4.5份；Cr2O3 4.5‑5.5份。该半导体釉料具有良好的耐腐蚀、耐高温性能以及电性能。通过将各个原料准确称量后混合均匀，在1000‑1200℃熔融1.5‑2小时，得到熔融液，将熔融液水淬后，得到块状釉料。该方法简单易行，操作性强。该方法简单易行，操作性强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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