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单晶体锭块、用于生产单晶体锭块的设备和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201380071145.4
IPC分类号：C30B15/00;C30B15/24;C30B29/06
申请日期：
2013-06-10
申请人：
LG矽得荣株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	单晶体锭块、用于生产单晶体锭块的设备和方法
申请号	CN201380071145.4	申请日期	2013-06-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-23	公开/公告号	CN104937148A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;1;5;/;2;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	LG矽得荣株式会社	申请人地址	韩国庆尚北道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开矽得荣株式会社	当前权利人	爱思开矽得荣株式会社
发明人	崔日洙;安镇佑;王学义;金容进
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	茅翊忞

摘要

本文公开了一种单晶体锭块生产设备，其包括：坩埚，熔体容置在其中；加热器，构造成加热坩埚；热屏蔽构件，构造成屏蔽来自加热器和熔体的辐射热量；和颈盖，构造成在坩埚上方包围晶种单元，该颈盖被引入热屏蔽构件的开口中，辐射热量在开口中不被屏蔽，该颈盖在预定范围内随着晶种单元的竖直运动而竖直地运动。

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