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一种纳米多孔结构的硫化银‑硫化铜复合粉末的制备方法及应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510494679.9
  • IPC分类号:B01J27/04;B01J35/10;C25B11/06;C25B1/04
  • 申请日期:
    2015-08-12
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称一种纳米多孔结构的硫化银‑硫化铜复合粉末的制备方法及应用
申请号CN201510494679.9申请日期2015-08-12
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-12-16公开/公告号CN105148942A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J27/04IPC分类号B;0;1;J;2;7;/;0;4;;;B;0;1;J;3;5;/;1;0;;;C;2;5;B;1;1;/;0;6;;;C;2;5;B;1;/;0;4查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人朱胜利;任洪涛;杨贤金;崔振铎
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所代理人李丽萍
摘要
本发明公开了一种制备纳米多孔结构的硫化银‑硫化铜复合粉末的方法,是以Ti‑Cu‑Ag非晶态合金条带和硫酸溶液为原料制备硫化银‑硫化铜复合纳米多孔结构,其中Ti的原子百分含量为30%‑70%,Cu的原子百分含量为29%‑69%,Ag的原子百分含量为1%‑10%,将该非晶态合金条带与浓度为10‑15mol/L的硫酸溶液一同放置于密闭容器中在60‑120℃下反应24‑72小时,将反应后制得的粉末用去离子水冲洗若干次,再置于50℃真空干燥箱中干燥后得到的样品即为具有纳米多孔结构的硫化银/硫化铜复合粉末。其制备过程操作简单,实施费用低,所制得的复合结构具有比表面积大且电催化活性高,且稳定性好的优点。

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