通过气相淀积制备单晶的设备和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200410063143.3
IPC分类号：--
申请日期：
2004-04-23
申请人：
奥克麦蒂克有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	通过气相淀积制备单晶的设备和方法
申请号	CN200410063143.3	申请日期	2004-04-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-01-26	公开/公告号	CN1570225
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	奥克麦蒂克有限公司	申请人地址	瑞典诺尔雪平变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	诺斯泰尔股份公司	当前权利人	诺斯泰尔股份公司
发明人	埃里克·扬森;彼得·拉巴克;亚历山大·埃利森
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	董敏

摘要

一种方法和装置，以在足以生产优选数个厘米长度晶体的生长速率和时间周期内，气相生长SiC，第Ⅲ族-氮化物或它们的合金的单晶。本发明的另一个目的是控制生长着的晶体的直径。为了防止在单晶生长区域下游附近的表面上形成不希望的多晶淀积物，通过引入含有至少一种卤族元素或所述卤素和氢种类的组合的独立气体流，以降低生长材料的至少一种组分的本位过饱和度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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