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嵌入式动态随机存储器的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01109735.3
IPC分类号：--
申请日期：
2001-03-29
申请人：
华邦电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	嵌入式动态随机存储器的制造方法
申请号	CN01109735.3	申请日期	2001-03-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-11-06	公开/公告号	CN1378274
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	华邦电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区研新三路四号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华邦电子股份有限公司	当前权利人	华邦电子股份有限公司
发明人	谢文贵
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王学强

摘要

本发明涉及一种嵌入式动态随机存储器的制造方法，它可同时在逻辑电路区以及存储单元区的源极/漏极区上形成金属硅化物层，增加组件操作速度，而不会造成漏电流的问题发生。且可同时完成逻辑组件源极/漏极接触窗，以及DRAM存储单元位线接触窗的金属插塞的制作，减少制程步骤。

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