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晶背蚀刻方法及系统

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910054927.2
  • IPC分类号:H01L21/306H01L21/00
  • 申请日期:
    2009-07-16
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称晶背蚀刻方法及系统
申请号CN200910054927.2申请日期2009-07-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-01-26公开/公告号CN101958243A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/306
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IPC结构图谱:
IPC分类号H01L21/306;H01L21/00查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司申请人地址
上海市张江路*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成都成芯半导体制造有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成都成芯半导体制造有限公司
发明人陈泰江;吴昊
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
本发明提供晶背蚀刻方法及系统,以避免晶圆正面的变色现象,提高晶圆质量,该晶背对应的晶圆正面贴有防酸膜,该方法包括:在第一温度下,采用残酸清洗工艺清洗晶背;采用处于第二温度的氢氧化钾溶液蚀刻晶背,其中第一温度及第二温度的差值处于预定范围。

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