像素结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310424654.2
IPC分类号：G02F1/1362;G02F1/1368
申请日期：
2013-09-17
申请人：
瀚宇彩晶股份有限公司

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专利名称	像素结构及其制造方法
申请号	CN201310424654.2	申请日期	2013-09-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-25	公开/公告号	CN104460143A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/1362 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/13 基于液晶的，例如单位液晶显示单元〔2〕 G02F1/133 构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置（用于控制矩阵中液晶元件并且在结构上不与这些元件相连的装置或电路入G09G 3/36）〔3，7〕 G02F1/136 结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元（G02F 1/135优先）〔5〕 G02F1/1362 有源矩阵寻址单元〔7〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8查看分类表>
申请人	瀚宇彩晶股份有限公司	申请人地址	中国台湾新北市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瀚宇彩晶股份有限公司	当前权利人	瀚宇彩晶股份有限公司
发明人	胡宪堂;赵长明;康沐楷;赖瑞麒
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陈小雯

摘要

本发明公开了一种像素结构及其制造方法。此像素结构包括扫描线、数据线、薄膜晶体管、第一电极层、保护层及第二电极层。薄膜晶体管与扫描线及数据线电连接，且其包括栅极、氧化物半导体层、绝缘层、源极及漏极。氧化物半导体层位于栅极上。绝缘层覆盖氧化物半导体层的通道区。源极及漏极位于绝缘层上，且分别与氧化物半导体层电连接。第一电极层与氧化物半导体层为相同膜层，由扫描线与数据线环绕。保护层覆盖源极及漏极。第二电极层位于第一电极层上，且保护层位于第一电极层与第二电极层之间，其中第一电极层及第二电极层中其中一个与薄膜晶体管电连接，且另一个连接至共用电压，且其中第二电极层具有暴露出第一电极层的面积的多个狭缝。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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