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一种全晶体波导耦合器的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910113238.8
  • IPC分类号:G02B6/13
  • 申请日期:
    2019-02-14
  • 申请人:
    聊城大学
著录项信息
专利名称一种全晶体波导耦合器的制备方法
申请号CN201910113238.8申请日期2019-02-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-04-12公开/公告号CN109613648A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/13IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;3查看分类表>
申请人聊城大学申请人地址
山东省聊城市东昌府区湖南路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人聊城大学当前权利人聊城大学
发明人姚一村;德特列夫·基普;克里斯汀·埃尔文·豪恩霍斯特;塞吉·索恩索夫;多米内克·布鲁斯克;伊娃·法茨格拉夫
代理机构青岛致嘉知识产权代理事务所(普通合伙)代理人李浩成
摘要
本发明提供一种基于全晶体波导的输入/输出耦合器的制备方法,其核心是利用全内反射原理,通过精密切割技术在波导样品适当位置制作全反镜,以实现波导模式信号的输入/输出属于集成光子学器件制备技术领域。其特点及优势主要包括:1.目前唯一可行的全晶体波导输入/输出耦合器制备方法;2.制备工艺简单,仅需在常规波导制备工艺的基础上增加若干次切割工艺;2.与传统光栅类耦合器相比,耦合效率得到显著提升;3.适用材料范围广,易于推广。

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